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综述介绍

TK39A60W,S4VX

TK39A60W,S4VX

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是东芝半导体的TK39A60W,S4VX的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：600V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：38.8A（Ta）；

厂商：东芝半导体
类别：电机控制/步进电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：38.8A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：65 毫欧 @ 19.4A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.7V @ 1.9mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：110nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：4100pF @ 300V
功率-最大值：50W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220SIS

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