SIC620RCD-T1-GE3
发布时间:2015-08-16
简介:
本文是威世硅尼克斯的SIC620RCD-T1-GE3的数据表,它是属于集成电路(IC) PMIC - 全,半桥驱动器。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:VRPower®;输出配置:半桥;应用:同步降压转换器;接口:PWM;
- 厂商:威世硅尼克斯
- 类别:
电机控制/交流感应电机/Driver/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:VRPower®
- 输出配置:半桥
- 应用:同步降压转换器
- 接口:PWM
- 负载类型:电感
- 技术:功率 MOSFET
- 导通电阻(典型值):-
- 电流-输出/通道:60A
- 电流-峰值输出:-
- 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V
- 电压-负载:4.5 V ~ 18 V
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 特性:自举电路,二极管仿真,状态标志
- 故障保护:UVLO
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK® MLP55-31L
- 供应商器件封装:PowerPAK® MLP55-31L