IXTA6N100D2
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是IXYS的IXTA6N100D2的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:耗尽模式;漏源极电压(Vdss):1000V(1kV);电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A(Tc);
- 厂商:IXYS
- 类别:
电机控制/交流感应电机/Power Stage/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:-
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:耗尽模式
- 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV)
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):2.2 欧姆 @ 3A,0V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):-
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):95nC @ 5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):2650pF @ 25V
- 功率-最大值:300W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263(IXTA)