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综述介绍

IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是IXYS的IXTY1R6N100D2的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：耗尽模式；漏源极电压（Vdss）：1000V（1kV）；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.6A（Tc）；

厂商：IXYS
类别：电机控制/交流感应电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：耗尽模式
漏源极电压（Vdss）：1000V（1kV）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.6A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：10 欧姆 @ 800mA，0V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：27nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：645pF @ 25V
功率-最大值：100W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

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