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IXTP1R4N100P

IXTP1R4N100P

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是IXYS的IXTP1R4N100P的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：Polar™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：1000V（1kV）；


  • 厂商：IXYS
  • 类别： 电机控制/交流感应电机/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：Polar™
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：1000V（1kV）
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.4A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：11 欧姆 @ 500mA，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 50µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：17.8nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：450pF @ 25V
  • 功率-最大值：63W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商器件封装：TO-220AB
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