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综述介绍

IXTT10N100D

IXTT10N100D

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是IXYS的IXTT10N100D的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：耗尽模式；漏源极电压（Vdss）：1000V（1kV）；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10A（Tc）；

厂商：IXYS
类别：电机控制/交流感应电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：耗尽模式
漏源极电压（Vdss）：1000V（1kV）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.4 欧姆 @ 10A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：130nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：2500pF @ 25V
功率-最大值：400W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商器件封装：TO-268

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