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IXFT320N10T2

IXFT320N10T2

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是IXYS的IXFT320N10T2的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：GigaMOS™，HiPerFET™，TrenchT2™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；


  • 厂商：IXYS
  • 类别： 电机控制/交流感应电机/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：GigaMOS™，HiPerFET™，TrenchT2™
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：100V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：320A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3.5 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：430nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：26000pF @ 25V
  • 功率-最大值：1000W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
  • 供应商器件封装：TO-268
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