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DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是Diodes公司的DMG4710SSS-13的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;FET类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):8.8A(Ta);


  • 厂商:Diodes公司
  • 类别: 电机控制/交流感应电机/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR) 可替代的包装
  • 系列:-
  • FET类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):30V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):8.8A(Ta)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):12.5 毫欧 @ 11.7A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):43nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):1849pF @ 15V
  • 功率-最大值:1.54W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOP
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