DMT6010LFG-7

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是Diodes公司的DMT6010LFG-7的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物!；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：13A（Ta），30A（Tc）；

厂商：Diodes公司
类别：电机控制/交流感应电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物!
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：13A（Ta），30A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：7.5 毫欧 @ 20A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：41.3nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：2090pF @ 30V
功率-最大值：2.2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerDI3333-8

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