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DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是Diodes公司的DMN66D0LW-7的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):60V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):115mA(Ta);


  • 厂商:Diodes公司
  • 类别: 电机控制/交流感应电机/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR) 可替代的包装
  • 系列:-
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):60V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):115mA(Ta)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):6 欧姆 @ 115mA,5V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):23pF @ 25V
  • 功率-最大值:200mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
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