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综述介绍

DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的DMN66D0LDW-7的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：115mA；

厂商：Diodes公司
类别：电机控制/交流感应电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：115mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5 欧姆 @ 115mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：23pF @ 25V
功率-最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363

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