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SIR802DP-T1-GE3

SIR802DP-T1-GE3

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是威世硅尼克斯的SIR802DP-T1-GE3的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:TrenchFET®;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):20V;


  • 厂商:威世硅尼克斯
  • 类别: 电机控制/交流感应电机/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR) 可替代的包装
  • 系列:TrenchFET®
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:标准
  • 漏源极电压(Vdss):20V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):30A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):5 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):1785pF @ 10V
  • 功率-最大值:27.7W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:PowerPAK® SO-8
  • 供应商器件封装:PowerPAK® SO-8
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