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IRFIBF30GPBF

IRFIBF30GPBF

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是威世硅尼克斯的IRFIBF30GPBF的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):900V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.9A(Tc);


  • 厂商:威世硅尼克斯
  • 类别: 电机控制/交流感应电机/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:标准
  • 漏源极电压(Vdss):900V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.9A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):3.7 欧姆 @ 1.1A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):78nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):1200pF @ 25V
  • 功率-最大值:35W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
  • 供应商器件封装:TO-220-3
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