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综述介绍

SI7726DN-T1-GE3

SI7726DN-T1-GE3

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是威世硅尼克斯的SI7726DN-T1-GE3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；系列：SkyFET®，TrenchFET®；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：30V；

厂商：威世硅尼克斯
类别：电机控制/交流感应电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：SkyFET®，TrenchFET®
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：35A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：9.5 毫欧 @ 10A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.6V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：43nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1765pF @ 15V
功率-最大值：52W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerPAK® 1212-8
供应商器件封装：PowerPAK® 1212-8

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