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综述介绍

2N6660-E3

2N6660-E3

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是威世硅尼克斯的2N6660-E3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：990mA（Tc）；

厂商：威世硅尼克斯
类别：电机控制/交流感应电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：990mA（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3 欧姆 @ 1A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：50pF @ 25V
功率-最大值：725mW
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：TO-39

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