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SQJ912AEP-T1-GE3

SQJ912AEP-T1-GE3

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是威世硅尼克斯的SQJ912AEP-T1-GE3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；系列：TrenchFET®；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：40V；


  • 厂商：威世硅尼克斯
  • 类别： 电机控制/交流感应电机/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：TrenchFET®
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：40V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：30A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：9.3m옴 @ 9.7A, 10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：38nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：1835pF @ 20V
  • 功率-最大值：48W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK® SO-8 双
  • 供应商器件封装：PowerPAK® SO-8 Dual
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