IRL6283MTRPBF

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是国际整流器公司的IRL6283MTRPBF的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；系列：HEXFET®，StrongIRFET™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；

厂商：国际整流器公司
类别：电机控制/交流感应电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：HEXFET®，StrongIRFET™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：38A（Ta），211A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：0.75 毫欧 @ 50A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：158nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：8292pF @ 10V
功率-最大值：2.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DirectFET™ Isometric MD
供应商器件封装：DIRECTFET™ MD

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