IRFH8201TRPBF

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是国际整流器公司的IRFH8201TRPBF的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；系列：HEXFET®，StrongIRFET™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：25V；

厂商：国际整流器公司
类别：电机控制/交流感应电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：HEXFET®，StrongIRFET™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：25V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：49A（Ta），100A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：0.95 毫欧 @ 50A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 150µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：111nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：7330pF @ 13V
功率-最大值：3.6W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-PQFN（5x6）

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