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IRLR7843TRLPBF

IRLR7843TRLPBF

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是国际整流器公司的IRLR7843TRLPBF的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:HEXFET®;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;


  • 厂商:国际整流器公司
  • 类别: 电机控制/交流感应电机/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR) 可替代的包装
  • 系列:HEXFET®
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):30V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):161A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):3.3 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):50nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):4380pF @ 15V
  • 功率-最大值:140W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:D-Pak
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