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BST82,215

BST82,215

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是恩智浦半导体公司的BST82,215的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：TrenchMOS™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：100V；


  • 厂商：恩智浦半导体公司
  • 类别： 电机控制/交流感应电机/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：TrenchMOS™
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：100V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：190mA（Ta）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：10 欧姆 @ 150mA，5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：40pF @ 10V
  • 功率-最大值：830mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装：SOT-23（TO-236AB）
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