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PSMN1R0-40YLDX

PSMN1R0-40YLDX

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是恩智浦半导体公司的PSMN1R0-40YLDX的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动;漏源极电压(Vdss):40V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):100A(Tc);


  • 厂商:恩智浦半导体公司
  • 类别: 电机控制/交流感应电机/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR) 可替代的包装
  • 系列:-
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
  • 漏源极电压(Vdss):40V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):100A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):1.1 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):127nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):8845pF @ 20V
  • 功率-最大值:198W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
  • 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8
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