PSMN3R4-30PL,127
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是恩智浦半导体公司的PSMN3R4-30PL,127的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):100A(Tc);
- 厂商:恩智浦半导体公司
- 类别:
电机控制/交流感应电机/Power Stage/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:-
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):100A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):3.4 毫欧 @ 10A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):64nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):3907pF @ 12V
- 功率-最大值:114W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220AB