PSMN1R2-30YLDX

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是恩智浦半导体公司的PSMN1R2-30YLDX的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：100A（Tc）；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：电机控制/交流感应电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：100A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.24 毫欧 @ 25A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：68nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：4616pF @ 15V
功率-最大值：194W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商器件封装：LFPAK56，Power-SO8

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