BSS138BKS,115
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是恩智浦半导体公司的BSS138BKS,115的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):60V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):320mA;
- 厂商:恩智浦半导体公司
- 类别:
电机控制/交流感应电机/Power Stage/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:-
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):60V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):320mA
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):1.6 欧姆 @ 320mA,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):0.7nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):56pF @ 10V
- 功率-最大值:445mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:6-TSSOP