SSN1N45BTA

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是飞兆半导体公司的SSN1N45BTA的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带盒（TB）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：450V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：500mA（Tc）；

厂商：飞兆半导体公司
类别：电机控制/交流感应电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：带盒（TB）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：450V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：500mA（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：4.25 欧姆 @ 250mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.7V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：8.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：240pF @ 25V
功率-最大值：900mW
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：TO-92-3

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