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FQN1N60CTA

FQN1N60CTA

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是飞兆半导体公司的FQN1N60CTA的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带盒（TB） 可替代的包装；系列：QFET®；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：600V；


  • 厂商：飞兆半导体公司
  • 类别： 电机控制/交流感应电机/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带盒（TB） 可替代的包装
  • 系列：QFET®
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：600V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：300mA（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：11.5 欧姆 @ 150mA，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：6.2nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：170pF @ 25V
  • 功率-最大值：1W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
  • 供应商器件封装：TO-92-3
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