FQNL2N50BTA
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是飞兆半导体公司的FQNL2N50BTA的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带盒(TB) 可替代的包装;系列:QFET®;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):500V;
- 厂商:飞兆半导体公司
- 类别:
电机控制/交流感应电机/Power Stage/
- 主要规格参数:
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- 包装:带盒(TB) 可替代的包装
- 系列:QFET®
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):500V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):350mA(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):5.3 欧姆 @ 175mA,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):8nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):230pF @ 25V
- 功率-最大值:1.5W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体
- 供应商器件封装:TO-92L