FQA6N90C_F109
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是飞兆半导体公司的FQA6N90C_F109的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:QFET®;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):900V;
- 厂商:飞兆半导体公司
- 类别:
电机控制/交流感应电机/Power Stage/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:QFET®
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):900V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):2.3 欧姆 @ 3A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):1770pF @ 25V
- 功率-最大值:198W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3PN