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FQS4901TF

FQS4901TF

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是飞兆半导体公司的FQS4901TF的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：QFET®；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：400V；


  • 厂商：飞兆半导体公司
  • 类别： 电机控制/交流感应电机/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：QFET®
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：400V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：450mA
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：4.2 欧姆 @ 225mA，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：7.5nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：210pF @ 25V
  • 功率-最大值：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SOP
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