CSD19536KCS
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是德州仪器的CSD19536KCS的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:NexFET™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):100V;
- 厂商:德州仪器
- 类别:
电机控制/交流感应电机/Power Stage/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:NexFET™
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):100V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):150A(Ta)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):2.7 毫欧 @ 100A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):153nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):12000pF @ 50V
- 功率-最大值:375W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220-3