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STQ1HNK60R-AP

STQ1HNK60R-AP

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是意法半导体公司的STQ1HNK60R-AP的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带盒（TB） 可替代的包装；系列：SuperMESH™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：600V；


  • 厂商：意法半导体公司
  • 类别： 电机控制/交流感应电机/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带盒（TB） 可替代的包装
  • 系列：SuperMESH™
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：600V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：400mA（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：8.5 欧姆 @ 500mA，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.7V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：156pF @ 25V
  • 功率-最大值：3W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
  • 供应商器件封装：TO-92-3
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