STL15DN4F5
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是意法半导体公司的STL15DN4F5的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:STripFET™ V;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):40V;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
电机控制/交流感应电机/Power Stage/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:STripFET™ V
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):40V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):60A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):1550pF @ 25V
- 功率-最大值:60W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat™(5x6)