BSS123LT1G

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是安森美半导体公司的BSS123LT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：100V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：170mA（Ta）；

厂商：安森美半导体公司
类别：电机控制/交流感应电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：170mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：6 欧姆 @ 100mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.8V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：20pF @ 25V
功率-最大值：225mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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