NTMFS4833NT3G
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是安森美半导体公司的NTMFS4833NT3G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):16A(Ta),156A(Tc);
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
电机控制/交流感应电机/Power Stage/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:-
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):16A(Ta),156A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):2 毫欧 @ 30A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):88nC @ 11.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):5600pF @ 12V
- 功率-最大值:910mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线
- 供应商器件封装:5-DFN,8-SO 扁引线(5x6)