5HN01M-TL-E

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是安森美半导体公司的5HN01M-TL-E的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平栅极，4V 驱动；漏源极电压（Vdss）：50V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：100mA（Ta）；

厂商：安森美半导体公司
类别：电机控制/交流感应电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源极电压（Vdss）：50V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：100mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：7.5 欧姆 @ 50mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：6.2pF @ 10V
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：3-MCP

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