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NDD02N40-1G

NDD02N40-1G

发布时间:2015-08-22
简介:

本文是安森美半导体公司的NDD02N40-1G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):400V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.7A(Tc);


  • 厂商:安森美半导体公司
  • 类别: 电机控制/交流感应电机/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):400V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.7A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):5.5 欧姆 @ 220mA,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):5.5nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):121pF @ 25V
  • 功率-最大值:39W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商器件封装:I-Pak
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