NVMFS4C05NWFT1G

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是安森美半导体公司的NVMFS4C05NWFT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：24.7A（Ta），116A（Tc）；

厂商：安森美半导体公司
类别：电机控制/交流感应电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：24.7A（Ta），116A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3.4 毫欧 @ 30A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：30nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1972pF @ 15V
功率-最大值：3.61W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
供应商器件封装：5-DFN，8-SO 扁引线（5x6）

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