NTJD4001NT1G
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是安森美半导体公司的NTJD4001NT1G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):30V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):250mA;
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
电机控制/交流感应电机/Power Stage/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:-
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):250mA
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):1.3nC @ 5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):33pF @ 5V
- 功率-最大值:272mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363