STGW25S120DF3
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是意法半导体公司的STGW25S120DF3的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:管件;IGBT类型:沟道和场截止;电压-集射极击穿(最大值):1200V;电流-集电极(Ic)(最大值):50A;脉冲电流-集电极(Icm):100A;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
电机控制/交流感应电机/Diodes and Switches/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:-
- IGBT类型:沟道和场截止
- 电压-集射极击穿(最大值):1200V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):50A
- 脉冲电流-集电极(Icm):100A
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):2.1V @ 15V,25A
- 功率-最大值:375W
- 开关能量:830µJ(开),2.37mJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:80nC
- 25°C时Td(开/关)值:31ns/147ns
- 测试条件:600V,25A,15欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):265ns
- 封装/外壳:TO-247-3
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3