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综述介绍

STGWA30N120KD

STGWA30N120KD

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是意法半导体公司的STGWA30N120KD的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；系列：PowerMESH™；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：60A；脉冲电流-集电极(Icm)：100A；

厂商：意法半导体公司
类别：电机控制/交流感应电机/Diodes and Switches/
主要规格参数:
包装：管件
系列：PowerMESH™
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：60A
脉冲电流-集电极(Icm)：100A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：3.85V @ 15V，20A
功率-最大值：220W
开关能量：2.4mJ（开），4.3mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：105nC
25°C时Td（开/关）值：36ns/251ns
测试条件：960V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：84ns
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247

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