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STGW15M120DF3

STGW15M120DF3

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是意法半导体公司的STGW15M120DF3的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:管件;IGBT类型:沟道和场截止;电压-集射极击穿(最大值):1200V;电流-集电极(Ic)(最大值):30A;脉冲电流-集电极(Icm):60A;


  • 厂商:意法半导体公司
  • 类别: 电机控制/交流感应电机/Diodes and Switches/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • IGBT类型:沟道和场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):30A
  • 脉冲电流-集电极(Icm):60A
  • 不同Vge,Ic时的Vce(on):2.3V @ 15V,15A
  • 功率-最大值:259W
  • 开关能量:550µJ(开),850µJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:226nC
  • 25°C时Td(开/关)值:26ns/122ns
  • 测试条件:600V,15A,22 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):270ns
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247
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