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综述介绍

R1LV0108ESN-5SI#B0

R1LV0108ESN-5SI#B0

发布时间：2015-08-18

简介：

本文是瑞萨电子美国公司的R1LV0108ESN-5SI#B0的数据表，它是属于集成电路（IC）存储器。具体规格参数如下：包装：管件可替代的包装；格式-存储器：RAM；存储器类型：SRAM；存储容量：1M（128K x 8）；速度：55ns；

厂商：瑞萨电子美国公司
类别：电机控制/伺服驱动和运动控制/SRAM/
主要规格参数:
包装：管件可替代的包装
系列：-
格式-存储器：RAM
存储器类型：SRAM
存储容量：1M（128K x 8）
速度：55ns
接口：并联
电压-电源：2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：-40°C ~ 85°C
封装/外壳：32-SOIC（0.450，11.40mm 宽）
供应商器件封装：32-SOP

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