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综述介绍

VESD03A1B-HD1-GS08

VESD03A1B-HD1-GS08

发布时间：2015-08-26

简介：

本文是威世半导体公司二极管部的VESD03A1B-HD1-GS08的数据表，它是属于电路保护 TVS - 二极管。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；类型：齐纳；单向通道：1；电压-反向关态（典型值）：3.3V（最小值）；电压-击穿（最小值）：5V；

厂商：威世半导体公司二极管部
类别：电机控制/开关磁阻电机/Hall Effect/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
类型：齐纳
单向通道：1
双向通道：-
电压-反向关态（典型值）：3.3V（最小值）
电压-击穿（最小值）：5V
电压-箝位（最大值）@Ipp：9V
电流-峰值脉冲（10/1000µs）：3.5A（8/20µs）
功率-峰值脉冲：31W
电源线路保护：无
应用：通用
不同频率时的电容：25pF @ 1MHz
工作温度：-40°C ~ 125°C （TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOD-882
供应商器件封装：LLP1006-2L

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