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综述介绍

IXTT16N50D2

IXTT16N50D2

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是IXYS的IXTT16N50D2的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：耗尽模式；漏源极电压（Vdss）：500V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：16A（Tc）；

厂商：IXYS
类别：电机控制/开关磁阻电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：耗尽模式
漏源极电压（Vdss）：500V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：16A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：240 毫欧 @ 8A，0V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：199nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：5250pF @ 25V
功率-最大值：695W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商器件封装：TO-268

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