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DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是Diodes公司的DMN32D2LDF-7的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；FET类型：2 N 沟道（双）共源；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：400mA；


  • 厂商：Diodes公司
  • 类别： 电机控制/开关磁阻电机/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：-
  • FET类型：2 N 沟道（双）共源
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：30V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：400mA
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.2 欧姆 @ 100mA，4V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：39pF @ 3V
  • 功率-最大值：280mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
  • 供应商器件封装：SOT-353
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