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SIHB6N65E-GE3

SIHB6N65E-GE3

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是威世硅尼克斯的SIHB6N65E-GE3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：650V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7A（Tc）；


  • 厂商：威世硅尼克斯
  • 类别： 电机控制/开关磁阻电机/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：-
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：650V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：600 毫欧 @ 3A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：48nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：820pF @ 100V
  • 功率-最大值：78W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：D²PAK（TO-263）
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