NTF3055L108T1G

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是安森美半导体公司的NTF3055L108T1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3A（Ta）；

厂商：安森美半导体公司
类别：电机控制/开关磁阻电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：120 毫欧 @ 1.5A，5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：15nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：440pF @ 25V
功率-最大值：1.3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223

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