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综述介绍

BSC018N04LS G

BSC018N04LS G

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是英飞凌科技公司的BSC018N04LS G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：OptiMOS™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：40V；

厂商：英飞凌科技公司
类别：智能电源和管理/智能电源/太阳能微逆变器/OptiMOS Medium Voltage Power MOSFETs/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：OptiMOS™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：30A（Ta），100A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.8 毫欧 @ 50A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 85µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：150nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：12000pF @ 20V
功率-最大值：125W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）

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