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IPP023N04N G

IPP023N04N G

发布时间：2015-08-22
简介：

本文是英飞凌科技公司的IPP023N04N G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：OptiMOS™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：40V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 智能电源和管理/智能电源/太阳能微逆变器/OptiMOS Medium Voltage Power MOSFETs/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：OptiMOS™
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：40V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：90A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：2.3 毫欧 @ 90A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 95µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：120nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：10000pF @ 20V
  • 功率-最大值：167W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商器件封装：TO-220-3
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