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综述介绍

BSO615N G

BSO615N G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是英飞凌科技公司的BSO615N G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；系列：SIPMOS®；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：60V；

厂商：英飞凌科技公司
类别：智能电源和管理/智能电源/太阳能微逆变器/OptiMOS Medium Voltage Power MOSFETs/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：SIPMOS®
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.6A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：150 毫欧 @ 2.6A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 20µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：380pF @ 25V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：PG-DSO-8

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